一、钇离子束动态增强沉积氮化钛膜（论文文献综述）
董自强[1]（2019）在《强流重离子加速器动态真空效应模拟与实验研究》文中指出重离子加速器是研究原子核结构、核反应机制、宇宙演化中的核过程、以及重离子相关前沿科学技术问题的重要工具。重离子加速器的发展方向是不断挑战高能量、高流强和高束团功率的极限,而重离子环形同步加速器是实现高束团功率的最佳方案。在重离子环形加速器中,为了满足物理人员对重离子束流寿命的要求,加速器的真空系统需要保持在极高真空条件下。当重离子加速器运行高流强的束流时,束流损失引起的动态真空效应将会破坏加速器的极高真空环境,极大减少束流寿命和影响重离子加速器的正常运行。本文以稳定强流重离子环形同步加速器的真空系统为目标,主要内容为研究束流损失对加速器真空系统造成的影响。具体研究内容包括由于重离子电荷态变化导致的束流损失分布研究,重离子加速器真空系统在束流损失引起气体解吸的动态演化过程,以及束流损失引起的气体解吸率研究。本文首先基于环形加速器束流光学,研究了电荷态变化的重离子的损失特点,模拟计算了增强器BRing中U35+丢失一个电子后的运动径迹,得到了U36+在BRing中的全环损失分布结果,同时也模拟了束流准直器在线的情况,准直效率可以保持在99%以上。其次,研究并讨论了加速器中重离子束流的损失机制,并对束流的动态损失建立了相应的数值模型。然后,针对环形加速器的真空系统进行了基础性理论推导,并计算了BRing全环的真空管道流导值。最后,根据重离子束流在同步加速器中的损失特点,建立了加速器真空系统考虑束流损失时的动态演化计算过程。论文根据已经建立的计算真空随时间变化的数学模型,对强流重离子加速器装置的增强器BRing进行了模拟计算。一方面,研究了束流流强对BRing真空系统的影响,U35+注入流强设计指标为1×1011ppp时BRing真空系统在束流的动态损失下可以保持稳定,而当束流流强超过3.5×1011ppp时,BRing真空系统无法继续保持稳定性,平均真空度在束流动态损失影响下会提高至2×10-9mbar左右,束流寿命受到严重影响。当束流准直器在线至束流包络边缘时,真空系统恶化得以改善,造成动态真空效应的阈值流强将提高至5×1011ppp。另一方面,研究了束流流强为1×1011ppp时束流发生的系统损失对BRing真空系统的影响,计算结果显示各个系统损失造成的真空波动能够及时被真空泵稳定。总体来说,在针对束流损失分布优化后的束流光学和大量高抽速真空泵排布情况下,BRing真空系统能够有效抑制动态真空效应,在加速器真空系统达到新的动态平衡时平均真空度可以满足要求。最后,论文进行了束流轰击下材料表面气体解吸率测量实验。不同材料经过不同的表面处理后,在束流轰击下会有不同的气体解吸率,而气体解吸率是进行重离子加速器动态真空效应模拟计算的重要输入参数。材料表面的气体解吸率和束流的能量及种类相关,在320 kV全离子综合实验平台进行的测量实验得到了不同能量条件下Xe10+和O1+轰击无氧铜靶材料的气体解吸率产额,得到了气体解吸率正比于束流能量的关系;在SSC-Linac平台进行的测量实验得到了BRing参考粒子U35+轰击8种靶材料的气体解吸率产额,结果表明镀金膜的铜块材料具有较低的气体解吸率,更适合作为束流准直器的挡块材料。在测量实验中也验证了现阶段表面处理工艺下,气体解吸率正比于粒子在材料中电子能损平方的关系,利用这种比例关系可以推算出不同能量下的气体解吸率产额。论文为将来研究中低能重离子束流轰击材料获得气体解吸率实验提供了经验和方向,获得的气体解吸率产额可以为模拟计算BRing动态真空效应的提供参考。
梁威[2]（2018）在《金属铈表面氮化物薄膜制备及其抗腐蚀性能研究》文中认为铀（U）作为一种重要的战略核能源材料,广泛应用于核能和国防领域。铀化学性质十分活泼,极易发生腐蚀而影响其物理化学性质及核性能,因此铀的腐蚀机理和防腐蚀研究一直受到人们的关注。由于铀具有放射性,易对人体和环境造成危害,而铈（Ce）具有与铀相近似的电子层结构,化学性质也十分相似且无放射性,适合替代U等核材料开展其防腐蚀方法及相关性能研究,从而为铀等核材料的防腐蚀研究提供借鉴和参考。本文的主要研究内容和成果如下:首先,开展了Ce氧化腐蚀相关实验研究。Ce在大气环境中极易氧化腐蚀,其氧化产物十分复杂。Ce在初始反应阶段反应速率很快,整个反应动力学曲线成抛物线型。湿度对Ce氧化腐蚀的影响很大,潮湿环境会导致Ce的加速腐蚀。其次,基于对Ce表面进行氮化改性的思路,利用双离子束溅射沉积系统通过反应溅射和氮化处理在Ce表面制备形成了CeN薄膜。研究发现CeN薄膜本身不稳定,在大气环境中容易氧化生成CeO2,故单纯进行表面氮化并不能有效提升Ce的耐腐蚀性能。因此在氮化处理后的样品表面再进一步沉积惰性氮化钛（TiN）陶瓷层,即在Ce表面制备形成了CeN/TiN双层复合膜,研究表明这种复合膜可以有效提高Ce的抗腐蚀性能,但是长期贮存镀层容易起泡脱落而失效。第三,利用金属钛（Ti）质地较软、韧性较好、与Ce和TiN热匹配性较好等优点,在Ce表面先沉积制备Ti作为过渡层,再沉积TiN惰性层,形成Ti/TiN双层复合膜,并调控获得了不同厚度比例的Ti/TiN双层复合膜。实验研究和分析表明,在Ce和TiN之间引入Ti作为过渡层,可以增加Ce和TiN之间的相容性及结合致密性,从而提高膜层质量,同时也大幅提升了样品的抗腐蚀等性能;在膜层总厚度为400nm时,调控获得的200nmTi/200nmTiN双层复合膜抗腐蚀等性能最优。最后,为进一步探索用金属Ce模拟钚（Pu）材料,尝试采用氦离子定量注入的方法,在Ti/TiN双层复合膜及基体Ce中引入定量的氦杂质并形成辐照损伤。研究表明,经过氦离子辐照,Ti/TiN双层复合膜晶体结构没有发生明显变化,杨氏模量下降约11%,膜基结合力有所提高,抗腐蚀性能未见明显下降。
陈莹[3]（2017）在《熔盐阳极电沉积碳膜的研究》文中研究表明碳膜具有许多优异的物理化学性能,如高硬度、高耐磨性、高电阻率、高热导率、低摩擦系数、化学惰性、抗腐蚀性、光学透过性等,因而广泛用于机械、电子、光能、航空航天、生物医学等领域。比较常用的制备碳膜方法是物理气相沉积和化学气相沉积。虽然气相沉积制备的碳膜也具有良好的物理化学性质,但是由于沉积过程中碳膜基体的温度过高,碳膜中残余热应力较大,导致碳膜易从基体上剥落。另外,气相沉积需要的设备复杂并且价格昂贵,且碳沉积速度较慢。尽管熔盐电化学方法沉积碳膜没有气相沉积方法技术成熟,但是其具备设备简单,碳沉积速度较快等优点。较低温度的熔盐介质对碳膜和基体还能起到一定的退火作用,有利于消除碳膜残余热应力,提高碳膜和基体之间的结合力。根据碳沉积过程发生的电化学反应,熔盐电沉积法还可分为阳极沉积和阴极沉积。阴极还原得到的碳膜主要为sp2杂化形式的碳;而阳极氧化获得的碳膜具有较高的sp3成分。由于阳极氧化沉积碳膜工艺要求更严格,在金属基体上形成连续碳膜的难度较大,相关工作也鲜少文献报导。本文以CaC2为碳源,采用熔盐阳极氧化在Ni、Cu和Ti基体上沉积碳膜。通过两步恒电位阳极氧化电沉积的方法快速地制备附着力良好的连续碳膜,并对碳膜进行表征;对电化学沉积碳膜的阳极过程、碳膜的生长机理、以及电沉积的工艺条件对碳膜微观结构的影响进行了研究。得到的主要结果如下:（1）在LiCl-KCl-CaCl2-CaC2的熔盐体系中,C22-离子可以在石墨、Ni、Cu、Ti电极上发生阳极氧化生成碳原子。与石墨电极相比,C22-离子在Ni、Ti和Cu电极上氧化电位更负。沉积C可以与Ni和Ti两种基体金属形成碳-金属固溶体,对阳极沉碳的电极过程起到去极化作用;金属Cu电极对C22-离子的阳极氧化反应具有催化作用,使C22-离子的氧化沉积电位比石墨电极负移0.2V。（2）采用两步恒电位阳极氧化沉积法可以快速地在Ni基体上生成具有Ni-C固溶体过渡层的连续碳膜。碳膜是由相互堆积紧密的类圆形薄片构成二次碳颗粒组成,其物相为石墨和无定型碳的混合相;延长第二阶段的沉积时间,沉积碳颗粒的尺寸会逐渐增大,碳膜与基体的附着力开始下降。（3）金属Cu基体不能与C形成碳化物或固溶体,难以在碳膜和金属基体之间形成含碳过渡层,导致碳膜与基体的结合强度较弱。先在Cu基体表面利用化学镀或电镀制备Ni中间层,然后电化学沉积碳膜,可以得到连续,均匀,附着力良好的碳膜。（4）金属Ti电极上的C22-离子氧化电位与钛阳极溶解电位十分相近,难以直接在钛基体上通过阳极氧化沉积碳膜。但是,在Ti基体上制备Ni中间层,然后再沉积碳膜,可以得到附着力良好的连续致密碳膜。
伏宁娜[4]（2017）在《金属薄膜传感器中氮化硅薄膜的制备及工艺试验研究》文中研究表明在金属薄膜传感器中,常采用介质层薄膜使金属基底与敏感元件之间绝缘,保护敏感元件不受外界环境污染以确保测量过程中的精确稳定性。氮化硅因其具有高的抗拉强度、硬度及比电阻,较高的介电常数和优良的绝缘性等机械、电学性能而在微机械与微电子领域和材料改性领域备受关注。国内外对氮化硅薄膜的制备工艺及结构等均有大量研究,但是有关沉积参数对沉积速率、薄膜均匀度、薄膜粗糙度的影响和沉积参数与退火热处理对薄膜结构的影响等方面的系统研究尚有不足,并且针对氮化硅薄膜在金属基底上的制备的研究少之又少。本文结合金属基底探究氮化硅薄膜的制备工艺,为以后金属薄膜传感器的制备奠定了坚实的工艺基础,具有重要的现实意义。以不锈钢作为基底材料,采用射频磁控反应溅射法,分别基于单晶硅靶材和氮化硅靶材沉积出用于金属薄膜传感器绝缘层和保护层的氮化硅薄膜,采用多种测量设备对所制备样品的薄膜厚度、表面粗糙度、表面形貌、组成成分、晶体结构和薄膜硬度等进行分析检测。基于单晶硅靶材设计单因素试验法探究了溅射功率、工作压强、气体流量比和基底温度对沉积速率、表面均匀度和表面粗糙度三个薄膜质量特性的影响规律;基于氮化硅靶材探究了溅射功率、工作压强、氮气流量对薄膜质量特性的影响规律;重点针对单晶硅靶材制备薄膜时的沉积参数设计正交试验,通过极差和方差分析,研究得出了四个沉积参数对薄膜质量特性的影响程度和显着性结果,并通过正交试验获得的测量值,分别建立了沉积速率、薄膜均匀度和表面粗糙度三个经验模型公式。研究结果表明,对不同沉积参数条件下的薄膜进行表面形貌变化的分析,得出溅射功率在100W120W范围内表面缺陷较少、质量最好,基底温度在200℃左右时薄膜质量平整致密,薄膜硬度为1532.6HV;随着氮气流量的增大薄膜的硬度先升高再降低,氮气流量在15sccm时硬度最大是1240.3HV;通过XRD图谱和EDS电子能谱分析得知,制备的薄膜为非晶结构的富硅氮化硅,而当退火温度不高于1000℃时,晶体结构几乎不发生变化。
宋秋实[5]（2012）在《熔盐电沉积碳膜的研究》文中研究说明碳膜具有良好的物理、化学性质,在近年来得到越来越广泛的关注。在金属材料表面包覆碳膜不但可以保持基体的特性,且能够使材料具有碳膜的性质和性能。目前,碳膜的制备方法主要有物理气相沉积法和化学气相沉积法。然而,这两种方法都普遍存在着沉积工艺复杂、沉积温度高等缺点。这导致膜和基体间有较大的热应力,碳膜容易脱落。因此,有必要寻找更为合适的碳膜沉积工艺,降低碳膜制备成本,提高碳膜质量,使其得到更为广泛的应用。本文以熔融盐为介质,碳酸盐为碳源,使用电化学方法在金属钛和340不锈钢基体上进行碳膜的沉积；在此基础上制备具有金属-氧-碳过渡层的碳膜；使用电化学测量技术对还原过程进行了研究；讨论了碳膜的生长过程,以及沉积电压、工作温度、碳酸盐根离子浓度等因素对碳膜沉积过程的影响。研究结果如下：在熔盐电化学沉积过程中,碳酸根离子被一步还原为碳原子；与金属电极相比,碳酸根离子在石墨电极上更容易被还原：析出碳与石墨相比具有更高的电化学活性,碳膜对覆盖的金属电极起到一定的保护作用,抑制其阳极溶解；碳酸根离子在Ti丝、氧化Ti丝和舢丝电极上的阴极析出电位基本相同；但Li+离子的析出电位会由于碳锂化合物和Li-AI合金的生成发生正移；随着工作温度和熔体中碳酸根离子浓度的增高,碳和碳锂化合物的析出电位都有一定的正向移动。通过对Ti和304不锈钢基体进行氧化、电脱氧和碳沉积,可以在其表面分别制备附有Ti-O-C和Cr-O-C过渡层的碳膜；碳膜是由连接紧密的微米尺寸的碳颗粒组成,其物相组成为石墨和无定形碳：过渡层实现了从基体到碳膜之间成分和结构上的过渡,有效增加了碳膜与基体之间的结合力。这种方法可以推广到其它可以与氧、碳形成固溶体的金属或合金上,制备附有金属-氧-碳过渡层的碳膜。在碳膜沉积过程中,碳颗粒逐层生长；每一层碳颗粒都是以下面一层为基体进行形核、长大；最后,在基体上形成了具有颗粒尺寸梯度变化的碳膜；沉积碳膜表面颗粒尺寸随基体单位面积上消耗的电量即碳的沉积量增加而增大。随着熔体中碳酸根离子浓度和工作温度的升高,碳在单位基体表面形核数量增加。基体的氧化和电脱氧过程分别增加了基体表面的宏观和微观粗糙度,利于碳在基体上形核,并增加碳膜和基体之间的结合强度,从而制备出均匀、连续的碳膜。
吴义志[6]（2011）在《ZL101A铝合金表面磁控溅射镀TiN薄膜的研究》文中指出ZL101A铝合金由于具有优良的铸造性能和力学性能,广泛地应用于汽车和摩托车轮毂制造业中。汽车和摩托车轻量化发展对ZL101A铝合金的性能提出了更高的要求。由于具备较好的耐蚀性、耐磨性、耐高温性、低摩擦系数,良好的化学稳定性,较高的硬度,近年来氮化钛薄膜引起了国内外装饰等行业极大关注和研究兴趣。本研究以铝合金基体上沉积的氮化钛薄膜为研究对象,以先进的中频非平衡磁控反应溅射技术为研究手段。使用MH-6型显微硬度计来完成显微硬度的测定;采用ZEISS EVO-18型扫描电镜测定试件表面TiN薄膜的厚度;采用YWX/Q-250型盐雾试验机测量氮化钛薄膜的耐蚀性;采用双管显微镜测量镀氮化钛薄膜后的试件表面粗糙度,在大量试验的基础上,综合分析氮化钛薄膜的性能参数和相应的工艺,得到以下结论:⑴在偏压电压180V、偏压占空比55%、弧电源电流85A、氮气流量45SCCM、本底真空度为1.0×10-3Pa的工艺条件下,一小时可以镀出厚度为950nm的TiN薄膜。⑵铝合金试件表面经过磁控溅射镀膜处理后,其显微硬度比镀膜前提高,其中在偏压电压180V、偏压占空比55%、弧电源电流85A、氮气流量45SCCM、本底真空度为1.0×10-3Pa的工艺条件下,表面硬度从58.8HV提高到75.9HV。⑶经过盐雾实验可以发现,随着镀膜工艺的不同,铝合金基体经镀TiN膜后的耐蚀性相比镀TiN膜前的耐蚀性明显提高。其中在偏压电压180V、偏压占空比55%、弧电源电流85A、氮气流量45SCCM、本底真空度为1.0×10-3Pa的工艺条件下,可以镀出耐蚀等级达到10级的TiN薄膜。⑷氮化钛薄膜的表面粗糙度随着镀膜工艺的不用而不同,镀膜后试件表面粗糙度比镀膜前对应试件上的表面粗糙度更低。其中在偏压电压180V、偏压占空比55%、弧电源电流85A、氮气流量45SCCM、本底真空度为1.0×10-3Pa的工艺条件下,铝合金试件表面经过磁控溅射镀膜处理后,其表面粗糙度从镀膜前的3.568μm减小到镀膜后的1.443μm。⑸综合分析TiN薄膜的硬度、厚度、耐蚀性、表面粗糙度等性能,可以发现在偏压电压180V、偏压占空比55%、弧电源电流85A、氮气流量45SCCM、本底真空度为1.0×10-3Pa的工艺条件下,铝合金表面TiN薄膜综合性能最佳,可以在工业环境中被应用。
马昕[7]（2010）在《表面氮化对口腔医用镍基合金性能影响的实验研究》文中提出目的：本实验采用过滤弧离子镀技术在口腔医用镍基合金材料（镍铬和镍钛合金）表面沉积氮化钛薄膜,并利用现代物理、化学和细胞生物学实验研究技术方法,对改性后镍基合金的表面结构、物化性能、抗菌性能及其生物性能进行综合评价,为进一步推动通过表面氮化后,各项性能得到大大优化的镍基合金在口腔医学临床领域中更加安全、广泛的应用,提供实验研究基础和理论依据。方法：1、采用过滤弧离子镀技术在口腔医用镍基合金材料表面均匀沉积一层氮化钛薄膜。2、利用SEM、XRD、显微硬度计、多功能材料表面性能试验机等检测评价TiN薄膜的表面形貌、晶体结构、相组成、显微硬度、膜-基结合强度、薄膜承载能力、膜层厚度。3、利用原子吸收光谱仪检测表面氮化对镍基合金在不同条件人工唾液中浸泡镍离子析出量的影响。4、将氮化前后无菌的镍基合金分组分别浸泡于变形链球菌和白假丝酵母菌菌液中孵育一定时间后,利用电子显微镜观察法和菌落形成单位（CFU）计数法观察比较改性前后材料表面细菌黏附量的变化。5、采用改良组织块法（胰酶消化玻片覆盖法）原代培养人牙龈成纤维细胞并利用形态学和免疫组化的方法观察成功率和细胞的生物学特性,鉴定其来源。6、采用噻唑蓝（MTT）比色法、流式细胞仪技术综合评价表面氮化改性后材料对人牙龈成纤维细胞增殖率、细胞周期和细胞凋亡的影响。结果：1、材料表面氮化后形成的TiN薄膜结构致密,无气泡缝隙等缺陷,但局部区域存在一些孔隙；材料表面氮化后改性物质主要以TiN的形式存在；TiN薄膜的显微硬度为758Hv0.05kg和718Hv0.1kg;TiN薄膜的膜-基结合强度为38.6N;TiN薄膜在<6GPa压力下未出现裂纹、剥落；TiN薄膜膜层厚度为0.267μm。2、在不同时间点,不同PH值人工唾液中,经过表面氮化改性的合金组Ni2+的析出量均明显小于未改性合金组（P<0.05）；且相同合金组在酸性PH值人工唾液中Ni2+的析出量均较在中性PH值人工唾液中有所提高（P<0.05）。3、经过表面氮化改性的镍铬合金组在变形链球菌菌液中孵育24h、48h、72h后表面活菌黏附量均明显小于未改性组,差别均有统计学意义（P<0.05）；经过表面氮化改性的镍钛合金在白假丝酵母菌菌液中孵育24h、48h、72h后表面活菌黏附量均明显小于未改性组,差别均有统计学意义（P<0.05）。4、采用改良玻片覆盖法成功培养出原代人牙龈成纤维细胞并显着提高培养的成功率。5、经过表面氮化改性的合金组在不同时间点的细胞增殖率均明显大于未经改性合金组（P<0.05）。6、经过表面氮化改性的合金组细胞G0/G1期及G2/M期的DNA百分含量均有所降低,而S期及细胞的增殖指数PrI值均有明显升高（P<0.05）。7、镍基合金表面氮化改性后与改性前相比,细胞凋亡率均有所下降（P<0.05）。结论：过滤弧离子镀技术在口腔医用镍基合金表面所镀TiN薄膜各项机械力学性能良好,具有较好的耐腐蚀性能及表面稳定性；氮化改性后的镍基合金表现出更好的抑制细菌黏附的能力；氮化改性后的镍基合金具有更好的生物性能。
李显[8]（2009）在《磁控管非平衡度及偏压对Cr膜生长和组织性能的影响研究》文中研究表明本文采用直流磁控溅射离子镀设备于单靶溅射条件下在单晶Si基底上制备了Cr镀层。采用SEM、表面轮廓测试仪及XRD观察了不同磁控管非平衡度状态下Cr镀层生长过程中形貌演化过程；采用四点探针法、纳米压入测试仪和表面轮廓测试仪分别对不同磁控管非平衡度和偏压状态下,不同靶基距处Cr镀层的导电性、纳米硬度、弹性模量及表面粗糙度等性能进行了测量；使用SEM、AFM及XRD方法对以上Cr镀层的微观组织、晶体结构、应力状况、晶粒度等微观状态进行了分析。在以上检测的基础上,对检测结果进行了深入的分析,探讨了磁控管非平衡度和偏压对磁控溅射Cr镀层生长及组织性能的影响机理。分析结果表明：磁控管非平衡度的改变显着影响着整个沉积过程中Cr镀层的生长过程、微观组织和性能。Cr镀层在沉积的各时间段内均由不同的影响因素主导其生长过程。随着沉积速率的增大,镀层晶体经历了由随机生长向择优生长的转变过程且镀层晶体发生了由最密排面Cr（110）向次密排面Cr（200）择优生长的转变。不同非平衡度和偏压下镀层截面均为排列紧密的柱状结构,柱状颗粒倾斜贯穿于整个镀层截面且镀层均沿Cr（110）面择优生长,斜向沉积和自遮蔽效应是柱状晶斜向生长的主要原因,提高衬底偏压并未影响镀层晶体结构及柱状晶粒与衬底之间的夹角。不同非平衡度和偏压状态下镀层内应力均为压应力。镀层晶粒度、电阻率、内应力、硬度及弹性模量随K的增大而增大,但表面粗糙度随着非平衡度的增大而减小。靶／基相对位置直接影响着镀层晶体的状态。镀层粗糙度、晶粒度随着靶基距的增加而减小。由于镀层力学性能在很大程度上和其内部结构及其晶粒尺寸有关,镀层硬度和弹性模量随靶基距的增大先减小后增大。
任毅[9]（2007）在《Ti/TiN多层膜离子束辅助沉积工艺、结构及性能研究》文中研究指明现代加工业的飞速发展,对工具、模具涂层的性能提出越来越高的要求,传统的TiN、TiC等单层膜不能应用于苛刻的工作条件,薄膜的多层化是改善其性能的有效途径之一。本文首先利用离子束辅助中频溅射制备了TiN单层膜,通过正交实验及极差分析研究了离子束辅助中频溅射工艺对TiN膜成膜速率、表面形貌、硬度和膜/基结合力的影响,确定了TiN单层膜的优化沉积工艺;探讨了反应气体的持续供给和脉冲供给对膜层表面形貌及性能的影响,研究了在脉冲供给氮气时氮气流量对Ti/TiN多层膜成膜速率和性能的影响;研究了不同调制周期和调制比的Ti/TiN多层膜性能。结果表明:在沉积TiN薄膜时,提高靶功率和降低氮气流量有利于抑制靶中毒现象,从而改善TiN薄膜的表面形貌。当靶功率和氮气流量较高且离子流较低时,制备的TiN膜硬度较高。当靶功率较低而氮气流量较高时,不容易获得膜/基结合力较好的膜层。当靶功率为9KW、氮气流量为35sccm、离子流为4A、温度为150℃时,制备的TiN薄膜的表面形貌、硬度、膜/基结合力较好,膜层硬度达到HV2319,膜/基结合力为7.5N。与氮气的持续供给相比,在脉冲供给氮气时制备的Ti/TiN多层膜表面形貌好,膜/基结合强度高,但显微硬度低于持续送气时获得的TiN膜。通过适当提高脉冲送气时的氮气流量可以在保持高的膜/基结合力情况下使膜层硬度显着提高。采用脉冲方式送气,氮气流量为90sccm时,膜层硬度可达HV1767,膜/基结合力达到18N。Ti/TiN多层膜的硬度及膜/基结合力随着调制周期的增大呈现出逐渐降低的趋势。Ti/TiN多层膜的性能随着调制比（在一个沉积周期内TiN与Ti的沉积时间比）的增大逐渐提高。在调制周期为9.45nm、调制比为5︰1时硬度为HV1813,而其膜/基结合力（22N）为TiN单层膜的两倍以上。
徐岚[10]（2006）在《镍铬合金表面不同涂镀层抗腐蚀性能对比研究》文中进行了进一步梳理【目的】 对比研究镍铬合金表面不同涂镀层的物理、机械性能和抗腐蚀性能。 【材料和方法】 1．采用磁控溅射技术、电镀技术、涂覆—烧结技术，在镍铬合金表面分别形成氮化钛膜、电镀金膜、金泥涂层及金瓷涂层等涂镀层。 2．用电子探针微分析仪观察各种涂镀层表面微形貌、膜层厚度、膜基界面形貌、检测膜孔隙率。 3．采用上海产MH-5型显微硬度计测量膜层硬度，通过划痕法测量膜基结合强度。 4．通过人工唾液浸泡法和电化学腐蚀法测试镍铬合金表面不同涂镀层在中性及酸性环境中的抗腐蚀性能。 【结果】 1．磁控溅射技术、电镀技术、涂覆—烧结技术都可以在镍铬合金表面获得金黄色、致密且与基体结合力较强的膜，可以对镍铬合金进行镀膜处理。 2．镍铬合金表面镀覆的氮化钛膜、电镀金膜、金泥涂层及金瓷涂层，在中性和酸性人工唾液中都表现出良好的抗腐蚀性能。 3．在人工唾液中，当膜基面积比为1：1时，氮化钛膜、电镀金膜、金泥涂层及金瓷涂层与镍铬合金之间不会发生电偶腐蚀。 4．不同元素构成比的镍铬合金抗腐蚀性能不同。
二、钇离子束动态增强沉积氮化钛膜（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、钇离子束动态增强沉积氮化钛膜（论文提纲范文）
（1）强流重离子加速器动态真空效应模拟与实验研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第1章 引言 |
| 1.1 强流重离子同步加速器的发展与挑战 |
| 1.1.1 强流重离子同步加速器的发展 |
| 1.1.2 强流重离子同步加速器面临的挑战 |
| 1.2 强流重离子加速器增强器BRing介绍 |
| 1.3 基于粒子加速器的动态真空效应 |
| 1.4 束流引起的气体解吸率测量 |
| 1.5 国内外研究现状 |
| 1.6 论文主要内容及创新点 |
| 第2章 真空理论基础及计算 |
| 2.1 理想气体相关理论介绍 |
| 2.2 气体吸附及解吸理论基础 |
| 2.3 气体流动状态及分子流时真空管道流导计算 |
| 2.4 重离子加速器极高真空系统中的真空泵及其特点 |
| 2.5 本章小结 |
| 第3章 同步加速器动态真空效应模拟计算流程建立 |
| 3.1 加速器线性光学理论介绍 |
| 3.2 环形加速器中的束流损失机制 |
| 3.2.1 反应截面及束流寿命 |
| 3.2.2 抛射电离引起的电荷交换 |
| 3.2.3 单次库仑散射 |
| 3.3 束流损失分布模拟计算 |
| 3.4 真空系统动态演化数值模型 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 强流重离子加速器增强器BRing的动态真空效应研究 |
| 4.1 强流重离子加速器BRing真空系统介绍 |
| 4.2 增强器BRing中考虑的束流损失机制 |
| 4.2.1 残余气体分子引起的动态损失 |
| 4.2.2 同步加速器中的系统损失 |
| 4.3 真空管道中残余气体分子的靶电离机制 |
| 4.4 增强器BRing的静态真空压力分布 |
| 4.5 增强器BRing中的动态真空模拟计算与比较 |
| 4.5.1 束流注入流强及损失对BRing真空系统的影响 |
| 4.5.2 俘获加速引起的束流损失对BRing真空系统的影响 |
| 4.5.3 束流快引出对BRing真空系统的影响 |
| 4.6 本章小结 |
| 第5章 束流损失引起的气体解吸率测量实验 |
| 5.1 气体解吸率测量原理及影响因素 |
| 5.2 基于320 kV全离子综合实验平台的测试方案 |
| 5.2.1 320 kV全离子综合实验平台介绍 |
| 5.2.2 Xe~(10+)及O_(1+)束流轰击下气体解吸率测量方案 |
| 5.2.3 气体解吸率测量结果 |
| 5.3 基于SSC-Linac实验平台的测试方案 |
| 5.3.1 SSC-Linac实验平台介绍 |
| 5.3.2 多种束流轰击下气体解吸率测量方案 |
| 5.3.3 气体解吸率测量结果 |
| 5.4 束流清洗效应 |
| 5.5 本章小结 |
| 第6章 总结及展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 |
| 致谢 |
（2）金属铈表面氮化物薄膜制备及其抗腐蚀性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题研究背景 |
| 1.2 铀的腐蚀机理概述 |
| 1.2.1 铀的氢蚀 |
| 1.2.2 铀的氧化腐蚀 |
| 1.3 铀的防腐蚀技术研究进展 |
| 1.3.1 CO和超临界CO2处理 |
| 1.3.2 物理气相沉积技术 |
| 1.3.3 离子注入 |
| 1.4 金属铈概述 |
| 1.4.1 金属铈的氧化腐蚀 |
| 1.4.2 金属铈模拟锕系元素铀钚相关研究 |
| 1.5 双离子束溅射沉积技术特点概述 |
| 1.6 本文研究内容和研究目标 |
| 第2章 实验方法及实验设备 |
| 2.1 薄膜样品的制备装置及原理 |
| 2.1.1 双离子束溅射沉积系统组成及结构 |
| 2.1.2 双离子束溅射沉积系统的工作原理 |
| 2.2 样品的处理 |
| 2.3 样品的分析与表征 |
| 2.3.1 X射线衍射 |
| 2.3.2 微观形貌及结构观察 |
| 2.3.3 X射线光电子能谱 |
| 2.3.4 拉曼光谱 |
| 2.3.5 电化学性能测试分析 |
| 第3章 金属铈老化腐蚀行为研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 铈在大气环境下腐蚀行为实验研究 |
| 3.2.1 铈在大气环境条件下氧化腐蚀现象 |
| 3.2.2 铈在大气环境条件下的XPS分析 |
| 3.2.3 铈在大气环境条件下的拉曼光谱分析 |
| 3.2.4 铈在大气环境条件下的XRD分析 |
| 3.2.5 铈在大气环境不同温湿度条件下的氧化动力学分析 |
| 3.3 铈在氮气等不同气氛密封条件下氧化行为比较分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 氮化铈/氮化钛复合膜制备及其抗老化腐蚀性能研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 氮化铈和氮化钛薄膜的制备 |
| 4.3 薄膜样品的分析表征 |
| 4.3.1 氮化铈薄膜XRD和 XPS分析 |
| 4.3.2 氮化钛薄膜XRD分析 |
| 4.4 氮化铈薄膜在大气环境条件下的老化研究 |
| 4.4.1 金相显微镜和扫描电镜分析 |
| 4.4.2 XRD分析 |
| 4.4.3 拉曼光谱分析 |
| 4.4.4 XPS分析 |
| 4.4.5 退火后XRD分析 |
| 4.4.6 CeN薄膜老化机理分析总结 |
| 4.5 氮化铈/氮化钛复合膜在大气环境条件下的老化研究 |
| 4.6 氮化铈/氮化钛复合膜电化学腐蚀性能分析 |
| 4.6.1 动电位极化曲线测试分析 |
| 4.6.2 电化学阻抗谱测试分析 |
| 4.7 本章小结 |
| 第5章 钛/氮化钛复合膜制备及其抗老化腐蚀性能研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 薄膜的制备表征 |
| 5.2.1 薄膜XRD分析 |
| 5.2.2 薄膜SEM分析 |
| 5.3 钛/氮化钛薄膜机械性能测试 |
| 5.3.1 激光超声对薄膜杨氏模量等性能测试分析 |
| 5.3.2 膜基结合力测试分析 |
| 5.4 钛/氮化钛薄膜电化学腐蚀性能测试 |
| 5.4.1 开路电位测试分析 |
| 5.4.2 动电位极化曲线测试分析 |
| 5.4.3 电化学阻抗谱测试分析 |
| 5.5 钛/氮化钛双层复合膜在大气及湿热条件下老化研究 |
| 5.6 本章小结 |
| 第6章 氦离子注入对钛/氮化钛复合膜性能影响研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 氦离子注入模拟计算 |
| 6.3 氦离子注入实验及对样品的性能影响分析 |
| 6.3.1 离子注入实验条件 |
| 6.3.2 离子注入前后钛/氮化钛薄膜XRD分析 |
| 6.3.3 离子注入前后钛/氮化钛薄膜杨氏模量测试分析 |
| 6.3.4 离子注入前后膜基结合力分析 |
| 6.3.5 离子注入前后样品抗电化学腐蚀性能分析 |
| 6.4 本章小结 |
| 第7章 全文结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 |
（3）熔盐阳极电沉积碳膜的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 碳膜的结构、分类和性质 |
| 1.2.1 碳膜的结构 |
| 1.2.2 碳膜的分类 |
| 1.2.3 碳膜的性质 |
| 1.3 沉积碳膜的基体种类 |
| 1.3.1 金属基体 |
| 1.3.2 非金属基体 |
| 1.4 碳源的种类 |
| 1.4.1 气相碳源 |
| 1.4.2 液相碳源 |
| 1.4.3 固相碳源 |
| 1.5 碳膜的应用 |
| 1.5.1 碳膜在机械领域的应用 |
| 1.5.2 碳膜在光学领域的应用 |
| 1.5.3 碳膜在电子领域的应用 |
| 1.5.4 碳膜在医学领域的应用 |
| 1.5.5 碳膜在声学领域的应用 |
| 1.5.6 碳膜在化学领域的应用 |
| 1.6 碳膜的制备方法 |
| 1.6.1 物理气相沉积 |
| 1.6.2 化学气相沉积 |
| 1.6.3 电化学沉积 |
| 1.6.4 碳膜在制备过程中存在的问题及解决办法 |
| 1.7 本论文的研究目的及内容 |
| 第2章 实验部分 |
| 2.1 实验原料及仪器 |
| 2.1.1 实验原料 |
| 2.1.2 实验仪器 |
| 2.2 实验装置 |
| 2.2.1 电解槽装置 |
| 2.2.2 熔盐的选择和预处理 |
| 2.2.3 电极的准备和组装 |
| 2.3 电化学测试 |
| 2.3.1 循环伏安法 |
| 2.3.2 计时电流法 |
| 2.3.3 动电位极化测试 |
| 2.4 碳膜的表征 |
| 2.4.1 碳膜形貌的表征 |
| 2.4.2 碳膜结构的表征 |
| 2.4.3 碳膜机械性能的表征 |
| 2.4.4 碳膜热稳定性的表征 |
| 第3章 金属Ni基体上阳极氧化电沉积碳膜 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 C_2~(2-)离子在LiCl-KCl-CaCl_2-CaC_2熔体中电化学行为的研究 |
| 3.2.1 C_2~(2-)离子在石墨电极上的电化学行为 |
| 3.2.2 C_2~(2-)离子在Ni电极上的电化学行为 |
| 3.3 Ni基体上电化学沉积碳膜的研究 |
| 3.3.1 一步恒电位电化学方法沉积碳膜 |
| 3.3.2 两步恒电位电化学方法沉积碳膜 |
| 3.4 碳膜的生长机理及影响因素的研究 |
| 3.4.1 碳膜在Ni基体上生长机理的研究 |
| 3.4.2 沉积电位对阳极沉积碳膜的影响 |
| 3.4.3 沉积温度对阳极沉积碳膜的影响 |
| 3.4.4 CaC_2的浓度对阳极沉积碳膜的影响 |
| 3.5 小结 |
| 第4章 金属Cu基体上阳极氧化电沉积碳膜 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 C_2~(2-)离子在LiCl-KCl-CaCl_2-CaC_2熔体中电化学行为的研究 |
| 4.2.1 C_2~(2-)离子在Cu电极上的电化学行为 |
| 4.2.2 C_2~(2-)离子在附有Ni镀层的Cu电极上的电化学行为 |
| 4.3 Cu基体上直接电化学沉积碳膜 |
| 4.4 Cu基体上制备Ni过渡层的研究 |
| 4.4.1 Cu基体上制备化学镀Ni层 |
| 4.4.2 Cu基体上制备电镀Ni层 |
| 4.5 附有Ni层的Cu基体上电化学沉积碳膜及表征 |
| 4.5.1 附有化学镀Ni层的Cu基体上沉积碳膜及表征 |
| 4.5.2 附有电镀Ni层的Cu基体上沉积碳膜及表征 |
| 4.6 小结 |
| 第5章 金属Ti基体上阳极氧化电沉积碳膜 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 C_2~(2-)离子在LiCl-KCl-CaCl_2-CaC_2熔体中电化学行为的研究 |
| 5.2.1 C_2~(2-)离子在Ti电极上的电化学行为 |
| 5.2.2 C_2~(2-)离子在附有化学镀镍层的Ti电极上的电化学行为 |
| 5.3 Ti基体上直接沉积碳膜及表征 |
| 5.4 Ti基体上制备化学镀Ni层的研究 |
| 5.5 附有化学镀Ni层的Ti基体上沉积碳膜及表征 |
| 5.6 小结 |
| 第6章 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读博士学位期间撰写和发表的论文 |
| 作者简介 |
（4）金属薄膜传感器中氮化硅薄膜的制备及工艺试验研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 论文的选题背景及其研究意义 |
| 1.2 薄膜传感器的国内外发展现状 |
| 1.3 介质绝缘薄膜的国内外研究现状 |
| 1.4 论文的主要研究内容 |
| 第二章 溅射镀膜基础理论及试验设备 |
| 2.1 溅射镀膜基础理论 |
| 2.1.1 溅射镀膜理论 |
| 2.1.2 辉光放电 |
| 2.1.3 影响溅射薄膜生长的因素 |
| 2.2 试验装置 |
| 2.2.1 磁控溅射沉积系统 |
| 2.2.2 离子束沉积系统 |
| 2.2.3 试验装置其他组件 |
| 2.3 薄膜样品的分析检测 |
| 2.3.1 薄膜厚度的测量 |
| 2.3.2 薄膜成分的分析 |
| 2.3.3 薄膜结构的分析 |
| 2.3.4 薄膜的表面粗糙度分析 |
| 2.3.5 薄膜形貌结构的分析 |
| 2.3.6 薄膜的表面硬度分析 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 氮化硅绝缘薄膜的制备工艺试验方法 |
| 3.1 氮化硅薄膜的制备方法 |
| 3.1.1 直接氮化法 |
| 3.1.2 物理气相沉积法（PVD） |
| 3.1.3 化学气相沉积法（CVD） |
| 3.2 氮化硅薄膜试验制备准备过程 |
| 3.2.1 薄膜传感器基底的选择 |
| 3.2.2 不锈钢基底的制备与检测 |
| 3.2.3 靶材的选用 |
| 3.3 氮化硅绝缘薄膜的制备方法和制备工艺 |
| 3.3.1 基底的清洗 |
| 3.3.2 氮化硅绝缘薄膜的制备方法 |
| 3.3.3 氮化硅绝缘薄膜的制备工艺 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 沉积参数对薄膜质量特性的影响及沉积参数的优化研究 |
| 4.1 基于单晶硅靶材的沉积参数对氮化硅薄膜质量特性的影响 |
| 4.1.1 溅射功率对氮化硅薄膜质量特性的影响 |
| 4.1.2 工作压强对氮化硅薄膜质量特性的影响 |
| 4.1.3 气体流量比对氮化硅薄膜质量特性的影响 |
| 4.1.4 基底温度对氮化硅薄膜质量特性的影响 |
| 4.2 基于正交试验的单晶硅靶材制备氮化硅薄膜沉积参数的优化研究 |
| 4.2.1 正交试验设计 |
| 4.2.2 薄膜质量特性的极差分析 |
| 4.2.3 薄膜质量特性的方差分析 |
| 4.2.4 薄膜质量特性的经验公式 |
| 4.3 基于氮化硅靶材的沉积参数对氮化硅薄膜质量特性的影响 |
| 4.3.1 溅射功率对氮化硅薄膜质量特性的影响 |
| 4.3.2 工作压强对氮化硅薄膜质量特性的影响 |
| 4.3.3 氮气流量对氮化硅薄膜质量特性的影响 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 射频磁控溅射反应法制备氮化硅薄膜的性能研究 |
| 5.1 氮化硅薄膜表面形貌及成分分析 |
| 5.1.1 不同基底温度下薄膜表面形貌结构及成分分析 |
| 5.1.2 不同溅射功率下薄膜表面形貌结构及成分分析 |
| 5.2 氮化硅薄膜显微硬度分析 |
| 5.2.1 基底温度对氮化硅薄膜硬度的影响 |
| 5.2.2 氮气流量对氮化硅薄膜硬度的影响 |
| 5.3 退火热处理对氮化硅薄膜性能的影响 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 结论与展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 创新点 |
| 6.3 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及所取得的研究成果 |
| 致谢 |
（5）熔盐电沉积碳膜的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 目录 |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 碳膜的结构及分类 |
| 1.1.1 碳的结构 |
| 1.1.2 碳膜的分类 |
| 1.2 碳膜的用途 |
| 1.2.1 碳膜在机械领域的应用 |
| 1.2.2 碳膜在光学领域的应用 |
| 1.2.3 碳膜在生物医学领域的应用 |
| 1.2.4 碳膜在化学和电学领域的应用 |
| 1.3 碳膜的制备方法 |
| 1.3.1 物理气相沉积 |
| 1.3.2 化学气相沉积 |
| 1.3.3 电化学沉积 |
| 1.3.4 现有碳膜沉积方法的不足及解决办法 |
| 1.4 碳膜的表征方法 |
| 1.4.1 碳膜结构的表征 |
| 1.4.2 碳膜形貌的表征 |
| 1.4.3 碳膜机械性能的表征 |
| 1.5 本论文的研究内容及意义 |
| 参考文献 |
| 第2章 熔盐电沉积碳膜的阴极过程研究 |
| 2.1 实验药品、材料及设备 |
| 2.1.1 实验药品和材料 |
| 2.1.2 实验仪器和设备 |
| 2.1.3 实验装置 |
| 2.2 实验内容 |
| 2.2.1 电极的准备和组装 |
| 2.2.2 熔盐的选择和预处理 |
| 2.2.3 电化学测试 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 石墨电极在LiCl-KCl和LiCl-KCl-K_2CO_3熔体中的电极行为 |
| 2.3.2 Ti丝、氧化Ti丝电极在LiCl-KCl和LiCl-KCl-K_2CO_3熔体中的电极行为 |
| 2.3.3 Al丝电极在LiCl-KCl和LiCl-KCl-K_2CO_3熔体中的电极行为 |
| 2.3.4 温度对电极行为的影响 |
| 2.3.5 碳酸盐浓度对电极行为的影响 |
| 2.4 小结 |
| 参考文献 |
| 第3章 金属Ti基体上电化学沉积碳膜 |
| 3.1 实验药品、材料及设备 |
| 3.1.1 实验药品和材料 |
| 3.1.2 实验仪器和设备 |
| 3.1.3 实验装置 |
| 3.2 实验内容 |
| 3.2.1 Ti基体上沉积碳膜 |
| 3.2.2 Ti基体上沉积有Ti-O-C过渡层的碳膜 |
| 3.2.3 碳膜的表征 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 Ti基体上直接熔盐电沉积碳膜 |
| 3.3.2 Ti基体上制备附有Ti-O-C过渡层的碳膜 |
| 3.4 小结 |
| 参考文献 |
| 第4章 碳膜的生长过程及影响因素研究 |
| 4.1 实验药品、材料及设备 |
| 4.2 实验内容 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 碳膜在Ti基体上的生长过程研究 |
| 4.3.2 沉积电压对沉积碳膜的影响 |
| 4.3.3 碳酸根离子浓度对沉积碳膜的影响 |
| 4.3.4 工作温度对沉积碳膜的影响 |
| 4.3.5 熔盐的预处理对沉积碳膜的影响 |
| 4.4 小结 |
| 参考文献 |
| 第5章 不锈钢基体上电沉积碳膜 |
| 5.1 实验药品、材料及设备 |
| 5.1.1 实验药品和材料 |
| 5.1.2 实验仪器和设备 |
| 5.2 实验内容 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 不锈钢基体上直接电沉积碳膜 |
| 5.3.2 不锈钢的基体上沉积附有Cr-O-C过渡层的碳膜 |
| 5.3.3 碳膜在不锈钢基体上的生长过程研究 |
| 5.3.4 不锈钢基体表面处理对沉积碳膜的影响 |
| 5.4 小结 |
| 参考文献 |
| 第6章 结论 |
| 致谢 |
| 攻读博士学位期间撰写和发表的论文 |
（6）ZL101A铝合金表面磁控溅射镀TiN薄膜的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 2 薄膜的气相沉积技术及TiN 薄膜的研究现状 |
| 2.1 薄膜的气相沉积技术 |
| 2.1.1 气相沉积技术的发展历史 |
| 2.1.2 气相沉积技术分类 |
| 2.2 氮化钛薄膜的研究现状 |
| 3 试验设备与材料 |
| 3.1 真空溅射镀膜机 |
| 3.2 磁控靶 |
| 3.3 气源系统 |
| 3.3.1 工作气体进气系统 |
| 3.3.2 反应气体进气系统 |
| 3.4 电源系统 |
| 3.4.1 中频溅射电源 |
| 3.4.2 偏压电源 |
| 3.5 气体分析系统 |
| 3.6 试验用基体材料及试样制备 |
| 3.7 试样测量仪器 |
| 3.7.1 显微硬度计 |
| 3.7.2 扫描电子显微镜 |
| 3.7.3 盐雾试验机 |
| 3.7.4 双管显微镜 |
| 4 镀膜工艺与氮化钛薄膜的制备 |
| 4.1 镀膜工艺 |
| 4.1.1 试验的正交设计方法 |
| 4.1.2 镀膜工艺的正交设计表 |
| 4.2 氮化钛薄膜的制备 |
| 4.2.1 试验前准备的工作 |
| 4.2.2 镀膜工艺流程 |
| 5 SP-0707AS 型真空溅镀机的安装与调试 |
| 5.1 设备配置及安装准备 |
| 5.1.1 设备的配置 |
| 5.1.2 设备的安装准备 |
| 5.2 真空镀膜机的操作流程 |
| 5.2.1 开机 |
| 5.2.2 待机 |
| 5.2.3 抽真空 |
| 5.2.4 镀膜 |
| 5.2.5 关机 |
| 6 氮化钛薄膜的性能测定及工艺参数对薄膜性能的影响 |
| 6.1 概述 |
| 6.2 氮化钛薄膜的性能测定 |
| 6.2.1 氮化钛薄膜显微硬度的测定方法 |
| 6.2.2 氮化钛薄膜显微硬度的检验 |
| 6.2.3 氮化钛薄膜厚度的测定方法 |
| 6.2.4 氮化钛薄膜厚度的检验 |
| 6.2.5 氮化钛薄膜耐蚀性的测定方法 |
| 6.2.6 氮化钛薄膜耐蚀性的检验 |
| 6.2.7 氮化钛薄膜表面粗糙度的测定方法 |
| 6.2.8 氮化钛薄膜表面粗糙度的检验 |
| 7 结论与存在的问题 |
| 参考文献 |
| 在读期间发表的学术论文 |
| 作者简历 |
| 致谢 |
（7）表面氮化对口腔医用镍基合金性能影响的实验研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| 英文摘要 |
| 前言 |
| 第一部分 镍基合金表面TiN薄膜的制备及其物化性能和对Ni~(2+)析出的影响 |
| 1 、前言 |
| 2 、实验材料 |
| 3 、实验方法 |
| 4 、实验结果 |
| 5 、讨论 |
| 6 、结论 |
| 第二部分 镍基合金表面TiN薄膜对其细菌黏附的影响 |
| 1 、前言 |
| 2 、实验材料 |
| 3 、实验方法 |
| 4 、实验结果 |
| 5 、讨论 |
| 6 、结论 |
| 第三部分 镍基合金表面TiN薄膜对体外培养的人牙龈成纤维细胞生物活性的影响 |
| 1 、前言 |
| 1、实验材料 |
| 2 、实验方法 |
| 3 、实验结果 |
| 4 、讨论 |
| 5 、结论 |
| 全文小结 |
| 参考文献 |
| 文献综述 |
| 攻读学位期间的研究成果 |
| 致谢 |
| 附录 |
| (一) 英文缩写词表 |
| (二) 统计学处理 |
（8）磁控管非平衡度及偏压对Cr膜生长和组织性能的影响研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 物理气相沉积技术 |
| 1.2.1 物理气相沉积技术基本原理 |
| 1.2.2 物理气相沉积技术的主要方法 |
| 1.2.3 物理气相沉积技术的技术特点 |
| 1.3 溅射现象和机理 |
| 1.3.1 溅射现象 |
| 1.3.2 溅射原理及特点 |
| 1.3.3 溅射技术的发展 |
| 1.4 磁控溅射离子镀 |
| 1.4.1 磁控溅射基本原理 |
| 1.4.2 磁控溅射离子镀基本原理 |
| 1.4.3 磁控溅射离子镀的轰击效应 |
| 1.5 影响镀层微结构的因素及其研究进展 |
| 1.6 课题的研究目的、意义及内容 |
| 1.6.1 课题目的和意义 |
| 1.6.2 研究内容 |
| 1.6.3 技术路线 |
| 2 实验设备和方法 |
| 2.1 实验材料及其预处理 |
| 2.1.1 实验材料 |
| 2.1.2 材料预处理 |
| 2.2 镀膜设备 |
| 2.3 磁控管不同磁场组态的设计及其量化表征 |
| 2.3.1 磁控管不同磁场组态的设计 |
| 2.3.2 磁控管不同磁场组态的量化表征 |
| 2.4 镀层的制备 |
| 2.4.1 镀层制备中衬底的放置 |
| 2.4.2 镀层制备的总工艺 |
| 2.4.3 不同沉积时间镀层的制备工艺 |
| 2.5 镀层的检测 |
| 2.5.1 镀层性能检测 |
| 2.5.2 镀层微观结构检测 |
| 3 磁控管非平衡度对Cr镀层晶体生长过程的影响及机理分析 |
| 3.1 不同磁控管非平衡度对Cr镀层表面形貌演化过程的影响 |
| 3.2 不同磁控管非平衡度对Cr镀层表面粗糙度演化过程的影响 |
| 3.3 不同沉积时间下,Cr镀层的晶体结构演化过程分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 4 磁控管非平衡度和偏压对Cr镀层性能的影响及机理分析 |
| 4.1 磁控管非平衡度和偏压对镀层导电率的影响 |
| 4.1.1 金属薄膜电阻率的电子运输理论 |
| 4.1.2 磁控管非平衡度对镀层导电率的影响 |
| 4.1.3 偏压对镀层导电率的影响 |
| 4.2 磁控管非平衡度对镀层力学性能的影响 |
| 4.2.1 磁控管非平衡度对镀层硬度的影响 |
| 4.2.2 磁控管非平衡度对镀层杨氏模量的影响 |
| 4.3 磁控管非平衡度和偏压对镀层粗糙度的影响 |
| 4.3.1 磁控管非平衡度对镀层粗糙度的影响 |
| 4.3.2 偏压对镀层粗糙度的影响 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 磁控管非平衡度和偏压对Cr镀层组织结构的影响及机理分析 |
| 5.1 磁控管非平衡度和偏压对镀层微观组织形貌的影响 |
| 5.1.1 磁控管非平衡度对镀层表面SEM微观形貌的影响 |
| 5.1.2 磁控管非平衡度对镀层表面AFM微观形貌的影响 |
| 5.1.3 偏压对镀层微观形貌的影响 |
| 5.2 磁控管非平衡度和偏压对镀层晶体结构的影响 |
| 5.2.1 磁控管非平衡度和偏压对镀层晶体结构的影响 |
| 5.2.2 磁控管非平衡度和偏压对镀层晶粒度的影响 |
| 5.2.3 磁控管非平衡度和偏压对镀层内应力的影响 |
| 5.3 本章小结 |
| 6 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 |
（9）Ti/TiN多层膜离子束辅助沉积工艺、结构及性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 多层膜的性能及其研究现状 |
| 1.2.1 多层膜的硬度 |
| 1.2.2 多层膜的摩擦磨损性能 |
| 1.2.3 多层膜的热稳定性 |
| 1.3 多层膜的制备技术 |
| 1.3.1 多弧离子镀 |
| 1.3.2 磁控溅射 |
| 1.3.3 等离子体化学气相沉积 |
| 1.3.4 离子束辅助沉积 |
| 1.4 论文的研究目标及研究内容 |
| 2 实验方法 |
| 2.1 试样的准备 |
| 2.2 镀膜设备 |
| 2.3 实验设计 |
| 2.3.1 TiN 膜的工艺参数优化 |
| 2.3.2 Ti/TiN 多层膜优化工艺参数设计 |
| 2.4 薄膜性能分析测试方法 |
| 2.4.1 结合强度测试 |
| 2.4.2 膜层厚度测试 |
| 2.4.3 硬度测试 |
| 2.4.4 缺陷的定量分析 |
| 3 TiN 薄膜工艺参数优化 |
| 3.1 表面形貌 |
| 3.1.1 宏观评价及其结果分析 |
| 3.1.2 表面缺陷数量及结果分析 |
| 3.1.3 表面缺陷面积比例及结果分析 |
| 3.2 膜层厚度测量 |
| 3.3 膜层力学性能测试 |
| 3.3.1 膜/基结合力及其结果分析 |
| 3.3.2 膜层硬度及其结果分析 |
| 3.4 小结 |
| 4 Ti/TiN 多层膜的工艺参数选择及性能研究 |
| 4.1 脉冲送气对膜层性能的影响 |
| 4.2 脉冲送气对氮气流量选择的影响 |
| 4.3 调制周期对Ti/TiN 多层膜性能的影响 |
| 4.3.1 调制周期实验参数选择 |
| 4.3.2 调制周期对 Ti/TiN 多层膜性能的影响 |
| 4.4 调制比对Ti/TiN 多层膜性能的影响 |
| 4.4.1 调制比实验参数选择 |
| 4.4.2 调制比对 Ti/TiN 多层膜性能的影响 |
| 4.5 小结 |
| 5 结论及建议 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 |
（10）镍铬合金表面不同涂镀层抗腐蚀性能对比研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| 英文摘要 |
| 引言 |
| 第1章 镍铬合金表面氮化钛膜、电镀金膜、金泥涂层及金瓷涂层的制备 |
| 1.1 试件基体材料和制备 |
| 1.2 试件基体镀膜处理 |
| 第2章 镍铬合金表面氮化钛膜、电镀金膜、金泥涂层及金瓷涂层的物理、机械性能测试 |
| 2.1 膜表面微形貌观察、膜孔隙率测定 |
| 2.2 膜层厚度测定、膜基界面形貌观察 |
| 2.3 膜基结合力测定 |
| 2.4 膜显微硬度测定 |
| 2.5 结论 |
| 第3章 镍铬合金表面氮化钛膜、电镀金膜、金泥涂层及金瓷涂层的抗腐蚀性能实验研究 |
| 3.1 人工唾液浸泡腐蚀实验 |
| 3.1.1 材料和方法 |
| 3.1.2 结果 |
| 3.1.3 讨论 |
| 3.1.4 结论 |
| 3.2 人工唾液电化学腐蚀实验 |
| 3.2.1 材料和方法 |
| 3.2.2 结果 |
| 3.2.3 讨论 |
| 3.2.4 结论 |
| 全文总结 |
| 参考文献 |
| 综述：牙科合金材料表面处理研究进展 |
| 致谢 |
四、钇离子束动态增强沉积氮化钛膜（论文参考文献）
- [1]强流重离子加速器动态真空效应模拟与实验研究[D]. 董自强. 中国科学院大学(中国科学院近代物理研究所), 2019(09)
- [2]金属铈表面氮化物薄膜制备及其抗腐蚀性能研究[D]. 梁威. 清华大学, 2018(04)
- [3]熔盐阳极电沉积碳膜的研究[D]. 陈莹. 东北大学, 2017(01)
- [4]金属薄膜传感器中氮化硅薄膜的制备及工艺试验研究[D]. 伏宁娜. 中北大学, 2017(08)
- [5]熔盐电沉积碳膜的研究[D]. 宋秋实. 东北大学, 2012(07)
- [6]ZL101A铝合金表面磁控溅射镀TiN薄膜的研究[D]. 吴义志. 河北农业大学, 2011(08)
- [7]表面氮化对口腔医用镍基合金性能影响的实验研究[D]. 马昕. 兰州大学, 2010(11)
- [8]磁控管非平衡度及偏压对Cr膜生长和组织性能的影响研究[D]. 李显. 西安理工大学, 2009(S1)
- [9]Ti/TiN多层膜离子束辅助沉积工艺、结构及性能研究[D]. 任毅. 中国地质大学（北京）, 2007(02)
- [10]镍铬合金表面不同涂镀层抗腐蚀性能对比研究[D]. 徐岚. 昆明医学院, 2006(01)